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FGA50N100BNTD2引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FGA50N100BNTD2

FGA50N100BNTD2

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FGA50N100BNTD2
商品编号
C898163
商品封装
TO-3PN​
包装方式
管装
商品毛重
6.771克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型NPT(非穿通型)
耗散功率(Pd)156W
集射极击穿电压(Vces)1kV
集电极电流(Ic)50A
集电极脉冲电流(Icm)200A
集电极截止电流(Ices)-
集射极饱和电压(VCE(sat))2.5V
栅极阈值电压(Vge(th))5.5V
栅极电荷量(Qg)257nC@15V
属性参数值
输入电容(Cies)6nF
输出电容(Coes)260pF
反向传输电容(Cres)200pF
开启延迟时间(Td(on))34ns
关断延迟时间(Td(off))243ns
导通损耗(Eon)-
关断损耗(Eoff)-
反向恢复时间(Trr)60ns
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

采用专有的沟槽设计和先进的非穿通型技术,该1000V非穿通型绝缘栅双极晶体管提供了卓越的导通与开关性能、高雪崩耐量和易于并联操作的能力。该器件为不间断电源、电焊机等硬开关应用提供了最佳性能。

商品特性

  • 高速开关
  • 低饱和电压 VCE(sat) = 2.5 V (IC = 60 A)
  • 高输入阻抗
  • 内置快速恢复二极管
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 不间断电源
  • 电焊机

数据手册PDF