FGA5065ADF
FGA5065ADF
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- 描述
- 这款 ADF IGBT 系列采用了场截止沟槽第 3 代 IGBT，提供极低的饱和压和更快的开关特性，实现出众能效。这种技术针对各种 PFC（功率因数校正）拓扑结构进行了完全优化；单升压，多通道交错等，具备超过 20KHz 的开关性能。TO3P 封装为更广泛的 SOA 提供超低热阻，保证系统的稳定性。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGA5065ADF
- 商品编号
- C898162
- 商品封装
- TO-3PN
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.771克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 耗散功率(Pd) | 268W | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72.2nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 20.8ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 62.4ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.35mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 309uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 31.8ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(450个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个450个/管
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