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FDH50N50-F133
1个N沟道 耐压:500V 电流:48A
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- 描述
- UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更好的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDH50N50-F133
- 商品编号
- C898144
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 625W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 137nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.46nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SUPERFET是新一代高压MOSFET，采用先进的电荷平衡机制，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。 这项先进技术经过优化，可最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。 因此，SUPERFET适用于各种汽车DC/DC电源转换。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 24 A条件下,RDS(on) = 89 mΩ(典型值)
- 低栅极电荷(典型值105 nC)
- 低Crss(典型值45 pF)
- 经过100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-照明-不间断电源-交流-直流电源