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FGA30S120P
阳极短路沟道IGBT，具备高速开关、低饱和电压、高输入阻抗，适用于感应加热和微波炉
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- 描述
- 飞兆半导体的短路阳极沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道和短路阳极技术，为软开关应用提供卓越的导通和开关性能。该器件可并行配置，具有极佳的雪崩能力。该器件为感应加热和微波炉而设计。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGA30S120P
- 商品编号
- C898157
- 商品封装
- TO-3PN
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 348W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.3kV | |
| 集电极电流(Ic) | 30A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 150A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 1mA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.75V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@600V | |
| 输入电容(Cies) | 3.345nF | |
| 输出电容(Coes) | 75pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 60pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 39ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 620ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.3mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.22mJ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |