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FCH165N65S3R0-F155
耐压:650V 电流:19A
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- 描述
- SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。该先进技术旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极端的dv/di速率。因此，SUPERFET III MOSFET易驱动系列有助于解决EMI问题，并便于设计实施。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCH165N65S3R0-F155
- 商品编号
- C898126
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@10V,9.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 154W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品概述
SuperFET II MOSFET是安森美半导体全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET非常适用于开关电源应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。
商品特性
- 典型RDS(on) = 67 mΩ
- 850 V @ TJ = 150°C
- 超低栅极电荷（典型Qg = 196 nC）
- 低输出电容储能（典型18μJ@400V）
- 低有效输出电容（典型Coss(eff.) = 568 pF）
- 100%雪崩测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 交流-直流电源-LED照明