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FDH3632
1个N沟道 耐压:100V 电流:80A
- 描述
- N 沟道 PowerTrench MOSFET 100V，80A，9m?
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDH3632
- 商品编号
- C898141
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.97克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 310W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
SuperFET II MOSFET是利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结(SJ)MOSFET系列产品。这项先进技术专用于最小化传导损耗，提供卓越的开关性能，并能够承受极端dv/dt额定值和更高雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET适用于系统小型化和高效化的各种各样的AC-DC功率转换的应用中。
商品特性
- 导通电阻RDS(ON) = 7.5 mΩ(典型值),栅源电压VGS = 10 V,漏极电流ID = 80 A
- 总栅极电荷Qg(tot) = 84 nC(典型值),栅源电压VGS = 10 V
- 低米勒电荷
- 低反向恢复电荷体二极管
- 具有非钳位感性负载开关(UIS)能力(单脉冲和重复脉冲)
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-同步整流-电池保护电路-电机驱动和不间断电源-微型太阳能逆变器