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FDH44N50
1个N沟道 耐压:500V 电流:44A
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- 描述
- UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDH44N50
- 商品编号
- C898142
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V,22A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 750W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 108nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.335nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
SUPREMOS MOSFET是安森美半导体（ON Semiconductor）采用深槽填充工艺的下一代高压超结（SJ）技术产品，这使其有别于传统的SJ MOSFET。这种先进技术和精确的工艺控制实现了最低的比导通电阻（Rsp）、卓越的开关性能和耐用性。SUPREMOS MOSFET适用于高频开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视（FPD TV）电源、ATX电源和工业电源应用。
商品特性
- 结温（TJ）为150°C时，耐压650 V
- 栅源电压（VGS）为10 V、漏极电流（ID）为11 A时，导通电阻（RDS(on)）典型值为140 mΩ
- 超低栅极电荷（典型值Qg = 45 nC）
- 低有效输出电容（典型值Coss(eff.) = 196.4 pF）
- 100%经过雪崩测试
- 该器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 等离子电视(PDP TV)-太阳能逆变器-交流-直流电源