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FDH44N50
1个N沟道 耐压:500V 电流:44A
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- 描述
- UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDH44N50
- 商品编号
- C898142
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 750W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 108nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.335nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 645pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
UniFET MOSFET基于平面条纹和DMOS技术。这款MOSFET专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示(FPD)电视电源、ATX和电子灯镇流器。
商品特性
- 低栅极电荷Qg,驱动要求简单(典型值90 nC)
- 改善了栅极、雪崩和高重复施加dv/dt的耐用性
- 降低了RDS(on)(VGS = 10 V、ID = 22 A时典型值为110 mΩ)
- 降低了米勒电容和低输入电容(典型值Crss = 40 pF)
- 提高开关速度,降低电磁干扰(EMI)
- 额定结温为175°C
- 该器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 照明
- 不间断电源
- 交流-直流电源