FCH190N65F-F085
1个N沟道 耐压:650V 电流:20.6A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCH190N65F-F085
- 商品编号
- C898128
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.181nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SuperFET II MOSFET是全新的高压超结(SJ)MOSFET系列,采用电荷平衡技术,具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度地降低传导损耗,提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。 因此,SuperFET II非常适用于软开关和硬开关拓扑,如高压全桥和半桥DC - DC、交错式升压PFC、混合动力电动汽车(HEV)和电动汽车(EV)的升压PFC。 SuperFET II FRFET MOSFET优化的体二极管反向恢复性能可减少额外元件并提高系统可靠性。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 10 A条件下,典型RDS(on) = 148 mΩ
- 在VGS = 10 V、ID = 10 A条件下,典型Qg(tot) = 63 nC
- 具有非钳位感性负载(UIS)能力
- 通过AEC Q101认证
- 符合RoHS标准
应用领域
- 汽车车载充电器
- 混合动力汽车(HEV)的汽车DC/DC转换器