温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDA59N25
1个N沟道 耐压:250V 电流:59A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- UniFET MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET旨在降低导通电阻，提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDA59N25
- 商品编号
- C898138
- 商品封装
- TO-3PN
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.247368克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 59A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 392W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC@200V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 29.5 A条件下,RDS(on) = 49 m Ω(最大值)
- 低栅极电荷(典型值63 nC)
- 低C\text rss(典型值70 pF)
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-等离子电视-不间断电源-交流-直流电源