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FDA24N40F
1个N沟道 耐压:400V 电流:23A
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- 描述
- UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的反向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，反向 dv/dt 抗扰度为15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDA24N40F
- 商品编号
- C898136
- 商品封装
- TO-3PN
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V,11.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 235W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.03nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 雪崩坚固技术
- 坚固栅氧化层技术
- 更低的输入电容
- 改善的栅极电荷
- 扩展的安全工作区
- 175°C工作温度
- 更低的漏电流：在VDS = 100V时为10 μA（最大值）
- 更低的RDS(ON)：0.032 Ω（典型值）