FDA24N40F
1个N沟道 耐压:400V 电流:23A 功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,FRFET,400V,23A,190mΩ
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描述
UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻,提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的反向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec,反向 dv/dt 抗扰度为15V/ns,而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此,在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中,它可以消除附加组件,提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用,如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
FDA24N40F商品编号
C898136商品封装
TO-3P-3L包装方式
管装
商品毛重
8.7克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 400V | |
连续漏极电流(Id) | 23A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 190mΩ@10V,11.5A | |
功率(Pd) | 235W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 60nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 3.03nF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 38pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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