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FDA24N40F

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:400V 电流:23A 功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,FRFET,400V,23A,190mΩ

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻,提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的反向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec,反向 dv/dt 抗扰度为15V/ns,而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此,在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中,它可以消除附加组件,提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用,如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

  • 品牌名称onsemi(安森美)
  • 商品型号

    FDA24N40F
  • 商品编号

    C898136
  • 商品封装

    TO-3P-3L
  • 包装方式

    管装

  • 商品毛重

    8.7克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)400V
连续漏极电流(Id)23A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)190mΩ@10V,11.5A
功率(Pd)235W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)60nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)3.03nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)38pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

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