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FCH47N60F-F085实物图
  • FCH47N60F-F085商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FCH47N60F-F085

1个N沟道 耐压:600V 电流:47A

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FCH47N60F-F085
商品编号
C898132
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)47A
导通电阻(RDS(on))-
属性参数值
耗散功率(Pd)417W
阈值电压(Vgs(th))5V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)8nF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这些N沟道增强型场效应晶体管采用高单元密度的DMOS技术制造。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻,同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。它们可用于大多数需要高达400mA直流电流的应用,并且能够提供高达2A的脉冲电流。这些产品特别适用于低压、低电流应用,如小伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。

商品特性

  • 在VGS = 10 V、ID = 47 A条件下,典型rDS(on) = 66 m Ω
  • 在VGS = 10 V、ID = 47 A条件下,典型Qg(tot) = 190 nC
  • 具备非钳位感性负载(UIS)能力
  • 符合RoHS标准
  • 通过AEC Q101认证

应用领域

  • 汽车车载充电器
  • 混合动力汽车(HEV)的汽车DC/DC转换器

数据手册PDF