FDA20N50-F109
1个N沟道 耐压:500V 电流:22A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDA20N50-F109
- 商品编号
- C898135
- 商品封装
- TO-3PN-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.771克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 280W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 59.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.12nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SUPERFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SUPERFET II MOSFET非常适合用于开关电源应用，如PFC、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。SUPERFET II FRFET MOSFET优化了体二极管反向恢复性能，可省去额外元件，提高系统可靠性。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 10 A时,RDS(on) = 230 mΩ(最大值)
- 低栅极电荷(典型值45.6 nC)
- 低Crss(典型值27 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- PDP电视
- 不间断电源
- 交流-直流电源