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FCH150N65F-F155

耐压:650V 电流:24A

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描述: SUPERFET Ⅱ MOSFET是利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结(SJ)MOSFET系列产品。这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt额定值和更高雪崩能量。因此，SUPERFET MOSFET非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。SUPERFET II FRFET MOSFET优化体二极管的反向恢复性能可去除额外元件，提高系统可靠性。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: FCH150N65F-F155
商品编号: C898125
商品封装: TO-247-3
包装方式: 管装
商品毛重: 7克(g)

商品参数

商品概述

SUPERFET II MOSFET是利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结(SJ)MOSFET系列产品。这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt额定值和更高雪崩能量。因此，SUPERFET MOSFET非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。SUPERFET II FRFET MOSFET优化体二极管的反向恢复性能可去除额外元件，提高系统可靠性。

商品特性

700 V @ TJ = 150°C
典型值 RDS(on) = 133 mΩ
超低栅极电荷（典型值 Qg = 72 nC）
低有效输出电容 (典型值 Coss(eff.) = 361 pI)
100% 经过雪崩测试
符合RoHS标准
This is a Pb-Free Device

应用领域

光伏逆变器
通信／服务器电源
太阳能变频器AC-DC电源

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	24A
	导通电阻(RDS(on))	150mΩ@10V,12A
	耗散功率(Pd)	298W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	5V
	栅极电荷量(Qg)	72nC@10V
	输入电容(Ciss)	3.737nF@100V
	反向传输电容(Crss)	0.77pF
	工作温度	-55℃~+150℃