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FCH150N65F-F155
耐压:650V 电流:24A
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- 描述
- SUPERFET Ⅱ MOSFET是利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结(SJ)MOSFET系列产品。这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt额定值和更高雪崩能量。因此，SUPERFET MOSFET非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。SUPERFET II FRFET MOSFET优化体二极管的反向恢复性能可去除额外元件，提高系统可靠性。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCH150N65F-F155
- 商品编号
- C898125
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 298W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.737nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SUPERFET II MOSFET是安森美半导体全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。 因此，SUPERFET II MOSFET非常适合各种追求小型化和更高效率的电源系统。SUPERFET II FRFET MOSFET的体二极管反向恢复性能经过优化，可减少额外元件并提高系统可靠性。
商品特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型值RDS(on) = 133 mΩ
- 超低栅极电荷(典型值Qg = 72 nC)
- 低有效输出电容(典型值Coss(eff.) = 361 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 这是一款无铅器件
应用领域
-光伏逆变器-通信/服务器电源-太阳能变频器-AC-DC电源