FCH125N60E
1个N沟道 耐压:600V 电流:29A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCH125N60E
- 商品编号
- C898123
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 278W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.99nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SUPERFET II MOSFET是全新的高压超结(SJ)MOSFET系列,采用电荷平衡技术,具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度降低传导损耗,提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此,与SUPERFET II MOSFET系列相比,SUPERFET II MOSFET易驱动系列的上升和下降时间略慢。该系列产品型号后缀为“E”,有助于解决电磁干扰(EMI)问题,且更易于设计实施。若应用中需要实现快速开关且开关损耗必须降至最低,请考虑选用SUPERFET II MOSFET系列。
商品特性
- 典型RDS(on) = 102 mΩ
- 在TJ = 150°C时耐压650 V
- 超低栅极电荷(典型Qg = 75 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff.) = 258 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准
应用领域
- 电信/服务器电源
- 工业电源