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FCH072N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:52A
- 描述
- SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SuperFET II MOSFET 适用于各种 AC/DC 电源转换，实现系统小型化和更高效率。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCH072N60
- 商品编号
- C898119
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.96克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 481W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.89nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.43pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用仙童半导体公司专有的平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 典型 RDS(on) = 66 m Ω
- 650 V @ TJ = 150℃
- 超低栅极电荷(典型 Qg = 95 nC)
- 低有效输出电容(典型 Coss(eff.) = 421 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-电信/服务器电源-工业电源