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FCH099N60E
FCH099N60E
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCH099N60E
- 商品编号
- C898121
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.77克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 357W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供出色的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低压应用，如音频放大器、DC/DC转换器的高效开关、直流电机控制和不间断电源。
商品特性
- 典型 RDS(on) = 87 mΩ
- 650 V @ TJ = 150℃
- 超低栅极电荷(典型 Qg = 88 nC)
- 低有效输出电容(典型 Coss(eff.) = 309 pF)
- 100%雪崩测试
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准
应用领域
-电信/服务器电源-工业电源