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NVR5198NLT3G
1个N沟道 耐压:60V 电流:2.2A
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- 描述
- 汽车用功率 MOSFET，60V，155 mΩ，单 N 沟道， 逻辑电平，SOT?23 AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVR5198NLT3G
- 商品编号
- C896862
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 155mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 182pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- 小尺寸行业标准表面贴装SOT - 23封装
- 低导通电阻RDS(on),降低传导损耗,提高效率
- 适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用的NVR前缀;符合AEC - Q101标准,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件为无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR)产品,符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源-音频放大器-直流电机控制-可变开关电源应用