温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FQL40N50F
商品参数
参数完善中
商品概述
这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面 DMOS 技术制造。 这项先进技术经过特别设计，旨在最大限度地降低导通电阻、提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关式 DC/DC 转换器、开关电源、不间断电源用 DC-AC 转换器以及电机控制。
商品特性
- 40 A、500 V,RDS(on) = 110 mΩ(最大值)@ VGS = 10 V,ID = 20 A
- 低栅极电荷(典型值155 nC)
- 低Crss(典型值95 pF)
- 100%雪崩测试
- 快速恢复体二极管(最大值250 ns)
应用领域
- 开关模式电源
- 有源功率因数校正(PFC)
- 电子灯镇流器