- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FCH041N65EFL4
FCH041N65EFL4
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。SuperFET II FRFET MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCH041N65EFL4
- 商品编号
- C898115
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 76A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 595W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 229nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 9.446nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 366pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
SuperFET II MOSFET是全新的高压超结(SJ)MOSFET系列,采用电荷平衡技术,具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大程度降低传导损耗,提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此,SuperFET II MOSFET非常适用于开关电源应用,如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。SuperFET II FREFET MOSFET优化的体二极管反向恢复性能可减少额外元件并提高系统可靠性。
商品特性
- 典型 RDS(on) = 36 m Ω
- 700 V @ TJ = 150℃
- 超低栅极电荷(典型 Qg = 229 nC)
- 低有效输出电容(典型 Coss(eff.) = 631 pF)
- 100%雪崩测试
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准
应用领域
-交直流电源-液晶/发光二极管/等离子电视-太阳能逆变器-电信/服务器电源