- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FCH041N65EFLN4
FCH041N65EFLN4
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCH041N65EFLN4
- 商品编号
- C898116
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 76A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 595W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 229nC | |
| 输入电容(Ciss) | 9.446nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 366pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
SUPERFET II MOSFET是安森美半导体全新的高压超结(SJ)MOSFET系列,采用电荷平衡技术,具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗,提供卓越的开关性能,并能承受极高的dv/dt速率。 因此,SUPERFET II MOSFET非常适合各种追求小型化和更高效率的电源系统。SUPERFET II FRFET MOSFET的体二极管反向恢复性能经过优化,可减少额外元件并提高系统可靠性。
商品特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 36 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg = 229 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff.) = 631 pF)
- 100%雪崩测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-电信/服务器电源-工业电源-电动汽车充电器-不间断电源/太阳能