- 引脚图
- 焊盘图
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FCH041N65F-F155
FCH041N65F-F155
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCH041N65F-F155
- 商品编号
- C898117
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 76A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 595W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 226nC | |
| 输入电容(Ciss) | 9.79nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 355pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
SUPERFET II MOSFET是全新的高压超结(SJ)MOSFET系列,采用电荷平衡技术,具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大程度降低传导损耗,提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此,SUPERFET II MOSFET非常适合用于开关电源应用,如PFC、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。SUPERFET II FRFET MOSFET优化了体二极管反向恢复性能,可省去额外元件,提高系统可靠性。
商品特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 36 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg = 226 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff.) = 1278 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 该器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-LCD、LED、PDP电视-太阳能逆变器-电信、服务器电源-交流-直流电源