FCH060N80-F155
1个N沟道 耐压:800V 电流:56A
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- 描述
- SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCH060N80-F155
- 商品编号
- C898118
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 350nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.685nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SuperFET MOSFET是第一代高压超结（SJ）MOSFET系列产品，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和较低栅极电荷性能。该技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET非常适合用于开关电源应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。
商品特性
- 典型RDS(on) = 54 mΩ
- 850 V(TJ = 150°C时)
- 超低栅极电荷(典型Qg = 270 nC)
- 低输出存储能量(典型值23μJ @ 400V)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff.) = 981 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 该器件符合RoHS标准
应用领域
-交流-直流电源-LED照明