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FCH023N65S3L4
1个N沟道 耐压:650V 电流:75A
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- 描述
- SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更简单的设计实施。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCH023N65S3L4
- 商品编号
- C898112
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.31克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V,37.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 175W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 222nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.16nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 40 A、500 V，RDS（on） = 110 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V，ID = 20 A
- 低栅极电荷（典型值155 nC）
- 低Crss（典型值95 pF）
- 100%雪崩测试
- 快速恢复体二极管（最大值250 ns）
应用领域
- 开关模式电源
- 有源功率因数校正（PFC）
- 电子灯镇流器