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商品参数
参数完善中
商品概述
UniFET™ MOSFET基于平面条纹和DMOS技术。该MOSFET专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。
商品特性
- 650 V @ TJ = 150°C
- 典型值RDS(on) = 36 mΩ
- 超低栅极电荷(典型值Qa = 285 nC)
- 低有效输出电容(典型值Coss(eff.) = 735 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 集成栅极电阻
- 符合RoHS标准
应用领域
-LCD/LED/PDP电视灯光-光伏逆变器-AC-DC电源