FCH041N60E

SuperFET II MOSFET是新一代高压超级结(SJ)MOSFET系列产品,利用电荷平衡技术实现了出色的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。该技术旨在最小化导通损耗,并提供卓越的开关性能、dv/dt额定值和更高的雪崩能量。同样,与SuperFET II MOSFET系列相比,SuperFET II MOSFET Easy-Drive系列的上升和下降时间略慢。该系列产品型号以“E”为前缀,有助于解决EMI问题,且设计部署更简单。若需要更快的开关速度,并用于开关损耗必须尽可能低的应用中,请考虑使用SuperFET II MOSFET系列。

• 650 V @ TJ = 150°C
• 典型值RDS(on) = 36 mΩ
• 超低栅极电荷(典型值Qa = 285 nC)
• 低有效输出电容(典型值Coss(eff.) = 735 pF)
• 100%经过雪崩测试
• 集成栅极电阻
• 符合RoHS标准

-LCD/LED/PDP电视灯光-光伏逆变器-AC-DC电源