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FCA20N60-F109
FCA20N60-F109
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCA20N60-F109
- 商品编号
- C898109
- 商品封装
- TO-3PN-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.771克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 650 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 150 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg = 75 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff.) = 165 pF)
- 100%雪崩测试
应用领域
-太阳能逆变器-交流-直流电源