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商品参数
参数完善中
商品概述
这些N沟道增强型场效应晶体管采用安森美半导体专有的高单元密度DMOS技术制造。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。它们可用于大多数需要高达500mA直流电流的应用。这些产品特别适用于低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。
商品特性
- 400mA、60V。在VGS = 10V时，RDS(ON) = 2Ω。
- 高密度单元设计，实现低RDS(ON)
- 电压控制小信号开关。
- 坚固可靠。
- 高饱和电流能力。
应用领域
- 小型伺服电机控制-功率MOSFET栅极驱动器-其他开关应用