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商品参数
参数完善中
商品概述
这些N沟道增强型场效应晶体管采用安森美半导体专有的高单元密度DMOS技术制造。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。它们可用于大多数需要高达500mA直流电流的应用。这些产品特别适用于低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。
商品特性
- 7.0 A、900 V,VGS = 10 V、ID = 3.5 A时,RDS(on) = 1.1 Ω(最大值)
- 低栅极电荷(典型值60 nC)
- 低Crss(典型值23 pF)
- 100%雪崩测试
应用领域
-开关电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器