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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 910mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.53nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 215pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计,可降低导通电阻,提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。
商品特性
- 7.0 A、900 V,VGS = 10 V、ID = 3.5 A时,RDS(on) = 1.1 Ω(最大值)
- 低栅极电荷(典型值60 nC)
- 低Crss(典型值23 pF)
- 100%雪崩测试
应用领域
-开关电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器