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FQAF13N80
1个N沟道 耐压:800V 电流:8A
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- 描述
- 这款 N 沟道增强型功率 MOSFET 采用仙童半导体公司专有的平面条形和 DMOS 技术制造。这种先进的 MOSFET 技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQAF13N80
- 商品编号
- C898053
- 商品封装
- TO-3PF-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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