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FQAF13N80
1个N沟道 耐压:800V 电流:8A
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- 描述
- 这款 N 沟道增强型功率 MOSFET 采用仙童半导体公司专有的平面条形和 DMOS 技术制造。这种先进的 MOSFET 技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQAF13N80
- 商品编号
- C898053
- 商品封装
- TO-3PF-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
DC-DC模块专为需要更紧凑设计的功率级而设计。压接技术提供简单可靠的安装方式。该模块针对如太阳能逆变器等需要高效率和坚固设计的应用进行了优化。
商品特性
- 8.0 A、800 V,RDS(on) = 750 mΩ(最大值)@ VGS = 10 V,ID = 4.0 A
- 低栅极电荷(典型值68 nC)
- 低Crss(典型值30 pF)
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关模式电源
- 有源功率因数校正(PFC)
- 电子灯镇流器