- 引脚图
- 焊盘图
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FGL35N120FTDTU
FGL35N120FTDTU
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGL35N120FTDTU
- 商品编号
- C898063
- 商品封装
- TO-264-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 368W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 35A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 105A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.68V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 210nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 5.09nF | |
| 输出电容(Coes) | 180pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 95pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 34ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 172ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.5mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.7mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 337ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用先进的场截止沟槽 IGBT 技术，飞兆半导体的 1200V 沟槽 IGBT 为硬开关应用（如太阳能逆变器、UPS、焊机应用）提供了最佳性能。
商品特性
- 场截止沟槽技术
- 高速开关
- 低饱和电压：VCE(sat) = 1.68 V，在 IC = 35 A 时
- 高输入阻抗
应用领域
- 太阳能逆变器
- UPS
- 焊机
- PFC