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AFGHL50T65SQD
650V 80A
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- 描述
- 采用新型场截止第四代高速IGBT技术。符合AEC Q101标准的AFGHL50T65SQD为汽车应用中的硬开关和软开关拓扑提供了最佳性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- AFGHL50T65SQD
- 商品编号
- C898108
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 268W | |
| 输出电容(Coes) | 85pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 200A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.4V@50mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 102nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 3.258nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 20ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 81ns | |
| 导通损耗(Eon) | 950uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 460uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 30ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 11pF |