商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的平面DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、功率因数校正以及基于半桥的电子镇流器。
商品特性
-高效率-低导通和开关损耗-低RDS(ON):最大90 mΩ-快速恢复体二极管-内置用于温度监测的NTC-紧凑尺寸:F1封装-压接接触技术-通过UL认证(E209204)
应用领域
-太阳能逆变器