温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTR3C21NZT3G
1个N沟道 耐压:20V 电流:3.6A
- 描述
- 功率 MOSFET，20 V，3.6 A，单 N 沟道，2.4 x 2.9 x 1.0 mm SOT?23 封装
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTR3C21NZT3G
- 商品编号
- C896855
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 470mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.54nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 先进沟槽技术
- SOT-23 封装超低导通电阻 RDS(on)
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 标准
应用领域
-电源负载开关-电源管理