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ESDL2012MX4T5G
ESD 1V截止 峰值浪涌电流：8A
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- 描述
- ESDL2012旨在保护需要低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于静电放电保护。由于其电容较低，该器件非常适合用于高速数据线应用
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- ESDL2012MX4T5G
- 商品编号
- C896711
- 商品封装
- DFN0603-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.009021克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 1V | |
| 钳位电压 | 5.2V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 8A | |
| 击穿电压 | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 500nA | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.23pF |
商品概述
ESDL2012专为保护需要低电容的电压敏感元件免受ESD和瞬态电压事件的影响而设计。出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。由于其电容较低，该器件非常适合高速数据线应用。
商品特性
- 低电容
- 低钳位电压
- 小外形尺寸：0.60 mmx0.30 mm
- 低本体高度：0.2 mm
- 隔离电压：1.0 V
- IEC61000-4-2 4级ESD保护
- 适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用的SZ前缀；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- SZESDL2012MX2WT5G - 可焊侧翼封装，便于进行最佳自动光学检测（AOI）
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准
应用领域
- USB3.x
- Thunderbolt 3.0