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MMBZ27VALT3G
齐纳二极管，24和40瓦峰值功率
- 描述
- 这些双片式硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等其他应用。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MMBZ27VALT3G
- 商品编号
- C896782
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 22V | |
| 钳位电压 | 40V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 1A@1.0ms | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 40W@1.0ms |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压 | 25.65V | |
| 反向电流(Ir) | 50nA | |
| 通道数 | 双路 | |
| 类型 | ESD |
商品概述
这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电 (ESD) 敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
商品特性
- SOT - 23 封装，可实现两种独立的单向配置或单一的双向配置
- 标准齐纳击穿电压范围：5.6 V 至 47 V
- 峰值功率：按图 6 波形，1.0 ms 时为 24 或 40W（单向）
- ESD 等级：
- 人体模型 3B 级（>16 kV）
- 机器模型 C 级（>400 V）
- IEC61000 - 4 - 2 标准 4 级 ESD 等级，±30 kV 接触放电
- 峰值脉冲电流下的最大钳位电压
- 低泄漏电流 < 5.0 μA
- 阻燃等级 UL 94 V - 0
- 汽车及其他需要特定产地和控制变更要求的应用采用 SZ 前缀；符合 AEC - Q101 标准且具备生产件批准程序 (PPAP) 能力
- 这些器件无铅且符合 RoHS 标准
应用领域
-计算机-打印机-商用机器-通信系统-医疗设备