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MMBZ27VALT3G实物图
  • MMBZ27VALT3G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MMBZ27VALT3G

齐纳二极管,24和40瓦峰值功率

描述
这些双片式硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等其他应用。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
MMBZ27VALT3G
商品编号
C896782
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
反向截止电压(Vrwm)22V
钳位电压40V
峰值脉冲电流(Ipp)1A@1.0ms
峰值脉冲功率(Ppp)40W@1.0ms
属性参数值
击穿电压25.65V
反向电流(Ir)50nA
通道数双路
类型ESD

商品概述

这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

商品特性

  • SOT−23封装,可实现两种独立的单向配置或单一的双向配置
  • 标准齐纳击穿电压范围:5.6 V至47 V
  • 峰值功率:在1.0 ms时为24或40 W(单向),波形见图6
  • 静电放电等级: - 人体模型3B级(>16 kV) - 机器模型C级(>400 V)
  • IEC61000−4−2 4级静电放电等级,±30 kV接触放电
  • 峰值脉冲电流下的最大钳位电压
  • 低泄漏电流<5.0 μA
  • 阻燃等级UL 94 V - 0
  • 汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用采用SZ前缀;符合AEC−Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
  • 这些器件无铅且符合RoHS标准

应用领域

  • 计算机
  • 打印机
  • 商用机器
  • 通信系统
  • 医疗设备

数据手册PDF

交货周期

订货49-51个工作日

购买数量

(10000个/圆盘,最小起订量 40000 个)
起订量:40000 个10000个/圆盘

总价金额:

0.00

近期成交2