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SZMMBZ18VALT3G
单向TVS 14.5V截止 峰值浪涌电流：1.6A@1.0ms
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- 描述
- 这些双片式硅齐纳二极管专为需要瞬态过电压保护功能的应用而设计。适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等。其双结共阳极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路，非常适合电路板空间有限的情况。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SZMMBZ18VALT3G
- 商品编号
- C896973
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 14.5V | |
| 钳位电压 | 25V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 1.6A@1.0ms | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 40W@1.0ms |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压 | 17.1V | |
| 反向电流(Ir) | 50nA | |
| 通道数 | 双路 | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | TVS |
商品概述
这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电（ESD）敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等。其双结共阳极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路，非常适合电路板空间有限的情况。
商品特性
- SOT - 23封装，可实现两种独立的单向配置或单一的双向配置
- 标准齐纳击穿电压范围：5.6 V至47 V
- 峰值功率：按图6波形，1.0 ms时为24 W或40 W（单向）
- ESD等级：
- 人体模型3B级（>16 kV）
- 机器模型C级（>400 V）
- IEC61000 - 4 - 2标准4级ESD等级，±30 kV接触放电
- 峰值脉冲电流下的最大钳位电压
- 低泄漏电流 < 5.0 μA
- 可燃性等级UL 94 V - 0
- 汽车及其他需要特定产地和控制变更要求的应用使用SZ前缀；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-计算机-打印机-商用机器-通信系统-医疗设备