SZESD8472MUT5G
SZESD8472MUT5G
- 描述
- ESD8472MUT5G 适用于针对 ESD 和瞬态电压事件为需要超低电容的电压敏感部件提供保护。卓越的箝位功能、低电容、高绝缘击穿电压、高线性、低泄漏和快速响应时间使得这些零件非常适用于在板空间非常宝贵的设计中提供 ESD 防护。它具有行业领先的电容-电压线性,适用于射频应用。这种电容线性结合极小封装和低插入损耗,使得此零件适用于无线手持设备和终端的天线应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SZESD8472MUT5G
- 商品编号
- C896966
- 商品封装
- 0201
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5.3V | |
| 钳位电压 | 17.8V | |
| 击穿电压 | 7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | ESD |
商品概述
ESD8472旨在保护需要超低电容的电压敏感元件,使其免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、高击穿电压、高线性度、低泄漏和快速响应时间,使其成为电路板空间有限设计中静电放电保护的理想选择。它在不同电压下具有行业领先的电容线性度,非常适合射频应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合,使其非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。
商品特性
- 行业领先的电压电容线性度
- 超低电容:0.2 pF
- 插入损耗:0.030 dBm
- 0201DNS封装:0.60 mm x 0.30 mm
- 耐受电压:5.3 V
- 低泄漏:<1 nA
- 低动态电阻:<1 Ω
- 1000次静电放电IEC61000 - 4 - 2冲击:±8 kV接触/空气放电
- 适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用的SZ前缀;符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件无铅、无卤素且符合RoHS标准
应用领域
- 射频信号静电放电保护
- 射频开关、功率放大器和天线静电放电保护
- 近场通信
- USB 2.0、USB 3.0
交货周期
订货65-67个工作日购买数量
(10000个/圆盘,最小起订量 30000 个)个
起订量:30000 个10000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交1单
