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SZESD8351MUT5G
ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：5A@8/20us
- 描述
- ESD8351系列ESD保护二极管旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SZESD8351MUT5G
- 商品编号
- C896964
- 商品封装
- 0201
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.020984克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 11.2V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 5A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | - | |
| 击穿电压 | 5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 500nA | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃@(Tj) | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.55pF |
商品概述
ESD8351系列ESD保护二极管旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。
商品特性
- 低电容（最大0.55 pF，I/O到地）
- 符合以下IEC标准保护：IEC 61000 - 4 - 2（4级）、ISO 10605
- 低ESD钳位电压
- 适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用的SZ前缀；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准
应用领域
- USB 2.0
- eSATA
交货周期
订货65-67个工作日购买数量
(10000个/圆盘，最小起订量 20000 个)个
起订量：20000 个10000个/圆盘
总价金额：
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