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SZESD7481MUT5G
SZESD7481MUT5G
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- 描述
- ESD7481 适用于针对 ESD 事件为需要超低电容的电压敏感部件提供保护。出色的箝位功能、低电容、低泄漏和快速响应时间，使得这些零部件非常适用于在板空间非常宝贵的设计中提供 ESD 防护。由于其低电容，因此该零部件非常适用于 USB 2.0 和高速天线应用等高频率设计。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SZESD7481MUT5G
- 商品编号
- C896963
- 商品封装
- 0201
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 10V；12V | |
| 击穿电压 | 6V | |
| 反向电流(Ir) | 50nA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 通道数 | 单路 | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.25pF |
商品概述
ESD7481旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受ESD和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合用于电路板空间有限的设计中的ESD保护。由于其电容低，该器件非常适合用于高频设计，如USB 2.0高速和天线线路应用。
商品特性
- 超低电容0.25 pF
- 低钳位电压
- 小外形尺寸：0.60 mm x 0.30 mm
- 低本体高度：0.3 mm
- 耐受电压：3.3 V
- 低泄漏
- 插入损耗：0.030 dBm
- 响应时间<1 ns
- 低动态电阻<1 Ω
- IEC61000 - 4 - 2 4级ESD保护
- 适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用的SZ前缀；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准
应用领域
- RF信号ESD保护
- RF开关、功率放大器（PA）和天线ESD保护
- 近场通信
优惠活动
购买数量
(10000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个10000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单