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MMQA5V6T3G
MMQA5V6T3G
- 描述
- 此四路单片式硅电压抑制器适用于需要瞬变过电压保护功能的应用。此器件适用于电压和 ESD 敏感设备中，如计算机、打印机、商务机、通信系统、医疗设备等应用。其四结共阳极设计仅使用一个封装即可保护四个单独的线路。此类器件适用于板空间非常宝贵的情况。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MMQA5V6T3G
- 商品编号
- C896787
- 商品封装
- SC-74
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.018克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5.6V | |
| 钳位电压 | 8V | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压 | 5.32V | |
| 通道数 | 四路 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | ESD |
商品概述
这款四路单片硅电压抑制器专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它适用于对电压和静电放电（ESD）敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其四路结共阳极设计仅用一个封装即可保护四条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
商品特性
- SC-74封装，可实现四种独立的单向配置
- 峰值功率 - 按图5波形，在1.0 ms时最小为24 W（单向）
- 峰值功率 - 按图6波形，在20 μs时最小为150 W（单向）
- 峰值脉冲电流下的最大钳位电压
- 低泄漏电流 < 2.0 μA
- 按照人体模型，ESD等级为3B级（超过16 kV）
- 汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用采用SZ前缀；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-计算机接口保护-微处理器保护