MMUN2113LT3G
MMUN2113LT3G
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- 描述
- 此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管,搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省在板空间。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MMUN2113LT3G
- 商品编号
- C896805
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.063克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 晶体管类型 | PNP |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 80@5mA,10V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 3V@2.0mA,0.3V | |
| 最大输入电压(VI(off)) | 800mV@100uA,5.0V | |
| 输入电阻 | 47kΩ | |
| 电阻比率 | 1 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(10000个/圆盘,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个10000个/圆盘
总价金额:
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