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MMUN2113LT3G实物图
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MMUN2113LT3G

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描述
此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管,搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省在板空间。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
MMUN2113LT3G
商品编号
C896805
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.063克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录数字晶体管
数量-
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)400mW
晶体管类型PNP
属性参数值
直流电流增益(hFE)80@5mA,10V
最小输入电压(VI(on))3V@2.0mA,0.3V
最大输入电压(VI(off))800mV@100uA,5.0V
输入电阻47kΩ
电阻比率1
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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(10000个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个10000个/圆盘

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