温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NSVMUN5332DW1T3G
NSVMUN5332DW1T3G
- 描述
- 此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省在板空间。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NSVMUN5332DW1T3G
- 商品编号
- C896849
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 15@5mA,10V | |
| 输入电阻 | 4.7kΩ | |
| 电阻比率 | 1 |
交货周期
订货65-67个工作日购买数量
(10000个/圆盘，最小起订量 40000 个)个
起订量：40000 个10000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单