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NTNS0K8N021ZTCG
1个N沟道 耐压:20V 电流:220mA
- 描述
- 特性：低轮廓超小封装，XDFN3 (0.62×0.42×0.4mm)，适用于空间极度受限的应用。 1.5V 栅极驱动。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。应用：小信号负载开关。 高速接口
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTNS0K8N021ZTCG
- 商品编号
- C896492
- 商品封装
- XDFN-3(0.4x0.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.009克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 125mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.3pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用安森美半导体专有的平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- 超薄超小型封装XDFN3(0.62 x 0.42 x 0.4 mm),适用于空间极度受限的应用
- 1.5 V栅极驱动
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
- 小信号负载开关
- 高速接口
- 电平转换