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2N7000BU
1个N沟道 耐压:60V 电流:200mA
- 描述
- 这些N沟道增强型场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠且快速的开关性能。它们可用于大多数需要高达400 mA直流电流的应用，并且能够提供高达2A的脉冲电流
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- 2N7000BU
- 商品编号
- C896650
- 商品封装
- TO-92
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V,500mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
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