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NTZD3154NT5G
2个N沟道 耐压:20V 电流:540mA
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- 描述
- 这是一个 20 V N 沟道功率 MOSFET。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTZD3154NT5G
- 商品编号
- C896500
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 540mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- 低导通电阻(RDS(on)),提高系统效率
- 低阈值电压
- 小封装尺寸,1.6 × 1.6 mm
- 栅极具备静电放电保护
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 标准
应用领域
-负载/电源开关-电源转换电路-电池管理-手机、数码相机、个人数字助理、寻呼机等