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NTK3134NT5G
1个N沟道 耐压:20V 电流:750mA
- 描述
- 功率 MOSFET，20 V，890 mA，单 N 沟道，带 ESD 防护，SOT-723
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTK3134NT5G
- 商品编号
- C896490
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.053克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 310mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 低导通电阻(RDS(on))的N沟道开关
- 与SC89封装相比,占位面积缩小44%,厚度降低38%
- 低阈值电平,支持1.5 V的导通电阻(RDS(on))额定值
- 可在低逻辑电平栅极驱动下工作
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 逻辑电平转换
- 超小型便携式电子设备的电池管理