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NTND31015NZTAG
双路N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：双N沟道MOSFET在0.65mm×0.90mm超小封装中提供低RDS(ON)解决方案。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：小信号负载开关。 模拟开关
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTND31015NZTAG
- 商品编号
- C896491
- 商品封装
- XLLGA-6(0.6x0.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.3pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.4pF |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 双N沟道MOSFET
- 在超小型0.65 mm x 0.90 mm封装中提供低RDS(ON)解决方案
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准
应用领域
-小信号负载开关-模拟开关-高速接口-专为超便携式产品的电源管理优化