- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVTFS5124PLWFTWG
NVTFS5124PLWFTWG
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- 描述
- 适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTFS5124PLWFTWG
- 商品编号
- C896036
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 18W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 27pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 小尺寸(3.3 x 3.3 mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
- NVTFS5124PLWF - 可焊侧翼产品
- 通过AEC-Q101认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件无铅,符合RoHS标准