NVTFS4C13NTWG
1个N沟道 耐压:30V 电流:14A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTFS4C13NTWG
- 商品编号
- C896033
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 770pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 127pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 配置 | - |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过特别设计，可在保持出色的耐用性和开关性能的同时，最大程度降低导通电阻，适用于工业应用。
商品特性
- 栅源电压为10 V、漏极电流为30 A时，最大漏源导通电阻为2.2 mΩ
- 栅源电压为8 V、漏极电流为27 A时，最大漏源导通电阻为2.7 mΩ
- 开关速度快
- 栅极电荷低
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻
- 高功率和电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 工业电机驱动
- 工业电源
- 工业自动化
- 电池供电工具
- 电池保护
- 太阳能逆变器
- UPS和能量逆变器
- 储能
- 负载开关