NVMFS5C645NLAFT3G
1个N沟道 耐压:60V 电流:100A 电流:22A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS5C645NLAFT3G
- 商品编号
- C896019
- 商品封装
- DFN-5(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A；100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 79W；3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 小尺寸（3.3 x 3.3 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗
- NVTFS5124PLWF - 可焊侧翼产品
- 通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅，符合RoHS标准
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