- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVMFD5875NLT3G
NVMFD5875NLT3G
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFD5875NLT3G
- 商品编号
- C893925
- 商品封装
- DFN-8(4.9x5.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
该器件在双封装中集成了两个专用的N沟道MOSFET。开关节点已实现内部连接，便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET（Q2）和同步MOSFET（Q1）的设计旨在实现最佳电源效率。
商品特性
- 低 RDS(on),以最小化传导损耗
- 低电容,以最小化驱动损耗
- NVMFD5875NLWF – 可焊侧翼选项,便于增强光学检测
- 通过 AEC-Q101 认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件无铅、无卤素,符合 RoHS 标准
应用领域
-计算领域-通信领域-通用负载点应用
- NVMFD5877NLT3G
- NVMFS4C01NT3G
- NVMFS4C01NWFT3G
- NVMFS4C03NWFT3G
- NVMFS4C05NT3G
- NVMFS5A140PLZWFT3G
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- NVMFS5C404NAFT3G
- NVMFS5C404NLAFT3G
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- NVMFS5C426NAFT3G
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