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NTMFS4H013NFT3G
1个N沟道 耐压:25V 电流:209A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS4H013NFT3G
- 商品编号
- C893861
- 商品封装
- SO-8FL-EP-5.8mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 209A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.72mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.923nF@12V | |
| 反向传输电容(Crss) | 114pF@12V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低电容，以最小化驱动损耗
- 优化的栅极电荷，以最小化开关损耗
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准
应用领域
- CPU电源供应-DC-DC转换器
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